Fotel przy kominku

Temat: zjawisko fotoelektryczne.
" />1. Tak.
2. Nie. Liczba elektronów wybijanych z fotokatody zależy od natężenia światła padającego nań.
3. Interferencja jest zjawiskiem stricte falowym. Zatem świadczy o falowej własności światła. O kwantowej naturze światła świadczą zjawiska, których nie udało się wyjaśnić na podstawie fizyki falowej tj. m. in. zjawisko fotoelektryczne zewnętrzne i wewnętrzne.
4. Ilość dżuli należy podzielić przez wartość ładunku elementarnego.
5. Tak.
Źródło: matematyka.pl/viewtopic.php?t=129255



Temat: pytania z półprzewodów
" />są to pytania z przyrządów półprzewodnikowych. Dałem to do działu fizyka ponieważ jest tutaj dużo fizyki.

Mam następujące pytania:
1.Jaka jest definicja ruchliwości nośników (w prądzie unoszenia w półprzewodniku)
2.Definicja współczynnika dyfuzji.
3.Objaśnij dla półprzewodnika samoistnego przebieg zależności przewodności właściwej od temperatury.
4. Objaśnij dla półprzewodnika domieszkowanego przebieg zależności właściwej od temperatury.
5. Objaśnij zjawisko fotoelektryczne wewnętrzne w przypadku półprzewodnika samoistnego. Graniczna długość fali.
6. Objaśnij zjawisko fotoelektryczne wewnętrzne w przypadku półprzewodnika domieszkowanego. Graniczna długość fali.

Szukam w książce i w necie ale nic nie mogę znaleźć.
Źródło: matematyka.pl/viewtopic.php?t=24562


Temat: Przypadki odbicia światła
" />Witam




1. Przy odbiciu światła od granicy z osrodkiem optycznie gęstszym

a)nastepuje zmiana fali faLi na przeciwna
b) nastepuje zmiana polaryzacji fali na przeciwna
c) nastepuje zmiana polaryzacji fali prostopadła
d) wszystkie odpowiedzi sa błedne

Czy odpowiedź C ???
Co jeszcze sie zmienia??
A gdy bedzie odbicie od ośrodka rzadszego??

2. Jak swiatło odbija sie od szklanej płytki w wodzie

a) woda ma wiekszy wsp. załamania??
b) woda ma mniejszy wsp. załamania???

3)Kiedy zachodzi całkowite wewnetrzne odbicie na granicy dwoch osrodkow od strony osrodka gęstszego
A) a co jest gdy bedzie od strony osrodka rzadszego???

4)zjawisko fotoelektryczne zewnetrzne i wewnetrze.
a)wybijaniu przez elektrony kwantow promieniowania
b)emisji swiatla z powierzchni przez ktora przepływa prad
c) ładowaniu się powierzchni emitujacej Swiatło

Czy ktoras odpowiedź pasuje do pytania? jesli nie to jakie beda
Źródło: matematyka.pl/viewtopic.php?t=209981


Temat: Możecie zadawać mi pytania.
cześć tu natalia ma kilka pytań z fizyk:
1.co to jest SEM indukcji?
2.model atomu wg bohra.
3.jak powstaje promieniowanie ciągłe i charakterystyczne?
4.zjawiski fotoelektryczne zewnętrzne i wewnętrzne
5.zjawiska potwierdzające falową i kwantową naturę światła

Źródło: fizyka.nethit.pl/viewtopic.php?t=10


Temat: CMOS>CCD
" />Zasada działania przetworników CCD i CMOS jest nieco inna. Przedstawię pokrótce oba przertworniki.
1. PRZETWORNIK CID-CMOS
Należy do grupy przetworników CID (analizator z wstrzykiwaniem ładunku), Najprostsza struktura CID to ortogonalna siatka przewodzących elektrod ułożona na pasywowanej powierzchni monokrystalicznego krzemu. W węzłach tej siatki tworzą się kondensatomry MOS o własnościach przetwarzająco-akumulujących. Nośniki powstają w wyniku zjawiska fotoelektrycznego wewnętrznego i są kumulowane w studni potencjałowej znajdującej się w węźle. Przy adresowaniu węzła następuje zanik napięcia sterującego i nośniki wydostają się do podłoża (wstrzykiwanie) a stamtąd przedostają się do elektrody zbiorczej. Podstawowymi wadami tego przetwornika są: sieć elektrod przesłaniająca warstwę światłoczułą oraz brak możliwości wzmocnienia sygnału wewnątrz struktury, co wprowadza spore szumy ograniczające dynamikę.
2. PRZETWORNIK MOS-XY (TFT-MOS)
Również przetwornik typu CID. Elementem światłoczułym jest fotodioda (a zatem jest to przetwornik typu złączowego). Jest ona naświetlana przez otwór w masce, która jest najwyżej położoną warstwą przetwornika. Obszar p fotodiody jest jednocześnie źródłem tranzystora MOS. Jego bramka jest dołączona do elektrody wiersza a dren do kolumny. Adresowanie odbywa się poprzez aktywację całego wiersza. Fotoładunki zgromadzone w kondensatorach złączowych przemieszczają się do źródeł tranzystorów kluczujących. Następuje kolejne uwalnianie ładunków do szyny zbiorczej. Dodatkowo sygnał z szyny zbiorczej trafaia na specjalny układ wyjściowy, który odpowiednio wzmacnia sygnał. Stąd też lepsza czułość i mniejsze szumy w porównaniu z przetwornikiem CID-MOS.
3. PRZETWORNIKI TYPU CTD
Jest to grupa analizatorów z przesuwaniem ładunku. Ogólna zasada działania polega na przetwarzaniu sygnału, akumulacji ładunku i przekazaniu ładunku do komórki pamięci. Komórki pamięci tworzą rejestr przesuwający, którego sekwencyjny odczyt prowadzi do odczytu zawartości linii. Układy typu CCD to układy ze sprzężeniem ładunkowym. Rejestr CCD tworzy kaskada wzajemnie izolowanych kondensatorów MOS pełniących funkcje komórek pamięci. W momencie przetwarzania tworzona jest studnia potencjału i gromadzony jest w niej ładunek. Następnie napięcia sterujące powodują takie zmiany potencjałów w podłożu, że ładunek z ogniwa n jest "przelewany" do ogniwa n+1. Ostatnie ogniwo jest ogniwem zbiorczym i przekzuje wszystkie ładunki do wzmacniacza wyjściowego. Zaletami tego typu przetwarzania są niskie szumy, duża prostota i jednorodność konstrukcji oraz duży zakres otrzymywanych powierzchni przetwornika.

mam nadzieję, że nic nie pomyliłem
Źródło: forum.fotopolis.pl/viewtopic.php?t=97


Temat: Szybkość migawki - w aparatach cyfrowych?!
" />sama budowa matrycy CCD nie ma nic wspólnego z kondensatorem - pojedyńcza komórka to półprzewodnik w którym w wyniku "uderzania" fotonów następuje "wybicie" elektronów i właśnie te elektrony są zliczane w momencie zaprzestania "bombardowania" fotonami stan przewodzenia półprzewodnika powraca do normy - żadnej kumulacji ładunków

FOTOELEKTRYCZNE ZJAWISKO, zjawisko występujące w ciałach pod wpływem światła, związane z przekazywaniem energii fotonów pojedynczym elektronom. Jeśli pochłonięcie fotonów powoduje przejście elektronów z pasma walencyjnego do pasma przewodnictwa (pasmowa teoria ciała stałego) i zwiększenie koncentracji nośników prądu (elektronów i dziur), zjawisko jest zwane zjawiskiem fotoelektrycznym wewnętrznym i przejawia się bądź w zwiększeniu przewodnictwa półprzewodnika lub dielektryka (fotoprzewodnictwo), bądź w powstaniu siły elektromotorycznej np. na złączu 2 półprzewodników lub półprzewodnika z metalem (fotowoltaiczne zjawisko). Jeśli energia fotonu jest wystarczająca do spowodowania wyrzucenia elektronu na zewnątrz ciała, zachodzi zjawisko fotoelektryczne zewnętrzne, zw. też emisją fotoelektronową lub fotoemisją. Zjawisko fotoelektryczne zewnętrzne odkryli niezależnie od siebie fizycy niem. H. Hertz (1887) i W. Hallwachs (1888); jego wyjaśnienie na podstawie teorii kwantów podał 1905 A. Einstein.

CCD [ang. Charge-Coupled Devices], przyrządy (układy) o sprzężeniu ładunkowym, przyrządy półprzewodnikowe realizowane techniką MOS (metal–izolator–półprzewodnik). CCD są szczególnym i zarazem najbardziej rozpowszechnionym rodzajem przyrządów z przenoszeniem ładunku CTD (ang. Charge Transfer Devices lub Charge Transport Devices). Najprostszy układ CCD składa się z szeregu metal. elektrod naparowanych na powierzchni warstwy dielektryka osadzonej na jednorodnie domieszkowanym podłożu krzemowym. Nośniki mniejszościowe wprowadzone do obszaru przypowierzchniowego półprzewodnika (np. w wyniku iniekcji lub oświetlenia) gromadzą się pod elektrodą spolaryzowaną napięciem o największej (bezwzględnej) wartości. Odpowiednia zmiana napięcia elektrod powoduje przesuwanie nośników ładunku w obszarze przypowierzchniowym w kierunku elektrody wyjściowej, skąd następuje ich odbiór przez układ przetwarzający ładunek w sygnały elektryczne. Podstawowym parametrem, charakteryzującym działanie CCD, jest sprawność transportu ładunku, określona jako iloraz ilości ładunku odbieranego na wyjściu układu i początkowej ilości tego ładunku (wprowadzonej na wejście). Przyrządy CCD są stosowane zarówno w układach cyfrowych (rejestry przesuwające, pamięci) jak i analogowych (linie opóźniające, filtry, przetworniki obrazu — scalone analizatory obrazu).
Źródło: swiatobrazu.pl/forumfoto/viewtopic.php?t=3659


Temat: Fototranzystor
Fototranzystor



Fototranzystorem nazywamy element półprzewodnikowy z dwoma złączami p-n. Działa tak samo jak tranzystor z tą różnicą, że prąd kolektora nie zależy od prądu bazy, lecz od natężenia promieniowania oświetlającego obszar bazy. Oświetlenie wpływa na rezystancję obszaru emiter-baza. Wykorzystuje się tu zjawisko fotoelektryczne wewnętrzne, tj. zjawisko fotoprzewodnictwa.

Fotoprzewodnictwo polega na zwiększaniu przewodnictwa elektrycznego pod wpływem energii promienistej powodującej jonizacje atomów w danym ciele, wskutek czego zwiększa się liczba swobodnych elektronów powstających w tym ciele

Fototranzystor jest detektorem o czułości wielokrotnie większej niż czułość fotodiody, ponieważ prąd wytworzony pod wpływem promieniowania ulega dodatkowemu wzmocnieniu.
Fototranzystory wykonuje się najczęściej z krzemu.


Zasada działania fototranzystora

http://img441.imageshack.us/img441/3802/foto2aw7.png

Oświetlenie fototranzystora powoduje wygenerowanie par elektron-dziura w warstwie typu p. Elektrony jako ujemne nośniki ładunku przechodzą do obszaru kolektora dzięki polaryzacji zaporowej złącza kolektorowego. Dziury nie mogą przejść do obwodu emiterowego z powodu istniejącej bariery potencjału na złączu baza-emiter. Część z nich jednak przechodzi do emitera, gdyż mają dostatecznie dużą energię kinetyczną i tam ulegają rekombinacji. Natomiast dziury, które nie przeszły powiększają nieskompensowany ładunek dodatni, obniżając barierę energetyczną złącza emiterowego. W wyniku czego elektrony z obszaru n pokonują barierę zwiększając strumień elektronów przechodzących z emitera do bazy, a potem do kolektora. Elektrony te zwiększają prąd kolektora w znacznie większym stopniu, niż elektrony które powstały w wyniku generacji par elektron-dziura bezpośrednio w obszarze bazy pod wpływem oświetlenia. W ten sposób zachodzi wewnętrzne wzmocnienie prądu fotoelektrycznego IP. Przez fototranzystor nie oświetlony płynie niewielki prąd ciemny ICEO. Natomiast prąd jasny kolektor-emiter fototranzystora w układzie WE z rozwartą bazą opisany jest zależnością:

http://img89.imageshack.us/img89/9741/foto3fz6.png

W fototranzystorach końcówka może być wyprowadzona na zewnątrz obudowy lub nie, dlatego też fototranzystor może pracować jako:
    lfotoogniwo, wykorzystuje się tu złącze kolektor-baza (rys. a),
    l
    lfotodioda, wykorzystane jest tu złącze kolektor-baza przy polaryzacji zaporowej (rys. b),
    l
    lfototranzystor bez wyprowadzonej końcówki bazy w tym przypadku pracuje jako normalny fototranzystor (rys. c),
    l
    lfototranzystor z wyprowadzoną końcówką bazy – można go niezależnie sterować optycznie i elektrycznie (rys. d).l
http://img259.imageshack.us/img259/4843/foto4fx7.png

Charakterystyka prądowo – napięciowa. Jest ona identyczna z kształtem konwencjonalnego tranzystora. Ze wzrostem temperatury złącza zwiększa się prąd ciemny i prąd fotoelektryczny. Wartość prądu ciemnego zależy od napięcia UCE.
Przypatrując się charakterystyce czułości widmowej (rys. a) zauważamy, że jest bardzo zbliżona do analogicznych charakterystyk fotodiod.
Z charakterystyki odczytujemy, że czułość fototranzystora zwiększa się wraz ze wzrostem napięcia polaryzacji. Istotny wpływ na czułość ma kierunek padającego promieniowania.
Fototranzystory mają w porównaniu z fotodiodami dwie zalety, a mianowicie: znacznie większą czułość dzięki wzmocnieniu wewnętrznemu pierwotnego prądu fotoelektrycznego oraz możliwość jednoczesnego sterowania prądu kolektora za pomocą sygnałów elektrycznych i świetlnych. Wadą fototranzystorów jest ich mała prędkość działania. Częstotliwość graniczna fT jest rzędu kilkudziesięciu kiloherców.

http://img20.imageshack.us/img20/5299/foto5en7.png

Fototranzystory znalazły duże zastosowanie. Głównymi obszarami zastosowania są układy automatyki i zdalnego sterowania, układy pomiarowe wielkości elektrycznych i nieelektrycznych, przetworniki analogowo – cyfrowe, układy łączy optoelektronicznych, czytniki taśm i kart kodowych itp.

Źródło: forum.elektronika.xorg.pl/index.php?showtopic=327